выгоднее, чем новая!
{{ totalProductsCount }}
В корзине {{totalProductsCount}} товар(ов)
В корзине {{totalProductsCount}} товар(ов)
Сумма:
{{sum | formatAmount}}
Ваша корзина пуста
{{cartItem.product.categoryName}}
{{cartItem.product.title}}
{{getCartItemOfferAppliedPrice(cartItem, cartItemOffer) | formatAmount}}
Сумма:
{{sum | formatAmount}}
В корзине {{totalProductsCount}} товар(ов)
Сумма:
{{sum | formatAmount}}
Ваша корзина пуста
Спецификация продукта Hynix HMT325U6EFR8C-PBN0 модуль памяти 2 GB DDR3 1600 MHz
Характеристики
Свойства
Оперативная память: Оперативная память (оперативное запоминающее устройство, ОЗУ) предназначена для временного хранения данных, которые необходимы процессору для выполнения операций. Оперативная память влияет на общую производительность системы.
2 GB
Тип внутренней памяти:
DDR3
Тактовая частота памяти:
1600 MHz
Форм-фактор памяти:
240-pin DIMM
Напряжение памяти:
1.35
Время задержки CAS:
11
Описание
Hynix HMT325U6EFR8C-PBN0. Оперативная память: 2 GB, Тип внутренней памяти: DDR3, Тактовая частота памяти: 1600 MHz, Форм-фактор памяти: 240-pin DIMM, Время задержки CAS: 11
